IRFP460A vs IRFP4468PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRFP460A und IRFP4468PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFP460A

Vishay Siliconix

Lifecycle
Active
Stock
7403 Stückzahl
Package
TO-247-3
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage
Part B

IRFP4468PBF

Internationaler Gleichrichter

Lifecycle
Active
Stock
4924 Stückzahl
Package
TO-247
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification IRFP460A IRFP4468PBF
Part Status Obsolete Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 20A (Tc) 195A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 270mOhm @ 12A, 10V 2.6mOhm @ 180A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 105 nC @ 10 V 540 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 3100 pF @ 25 V 19860 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 280W (Tc) 520W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Series - HEXFET®
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