IRFP4568PBF vs IRFP4668PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRFP4568PBF und IRFP4668PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFP4568PBF

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
7712 Stückzahl
Package
TO-247
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage
Part B

IRFP4668PBF

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
6039 Stückzahl
Package
TO-247
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification IRFP4568PBF IRFP4668PBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V 200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 171A (Tc) 130A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 5.9mOhm @ 103A, 10V 9.7mOhm @ 81A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 227 nC @ 10 V 241 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 10470 pF @ 50 V 10720 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 517W (Tc) 520W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
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