IRFP460PBF vs IRFP460APBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRFP460PBF und IRFP460APBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRFP460PBF

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2768 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRFP460APBF

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3680 Stückzahl | Vishay Siliconix
Paket TO-247-3 TO-247-3
Beschreibung MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
ProductStatus Last Time Buy Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 500 V 500 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 20A (Tc) 20A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 270mOhm @ 12A, 10V 270mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 210 nC @ 10 V 105 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 4200 pF @ 25 V 3100 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 280W (Tc) 280W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Series HEXFET® -
Vergleichsmodell : IRFP460PBF IRFP460APBF

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