IRFS4010TRLPBF vs IRFS4229TRLPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRFS4010TRLPBF und IRFS4229TRLPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFS4010TRLPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 6834 Stückzahl
Package: TO-263-3
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Part B

IRFS4229TRLPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 5622 Stückzahl
Package: TO-263-3
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Full specification comparison

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Specification	IRFS4010TRLPBF	IRFS4229TRLPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	250 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	180A (Tc)	45A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	10V	10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	4.7mOhm @ 106A, 10V	48mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	4V @ 250µA	5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	215 nC @ 10 V	110 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	9575 pF @ 50 V	4560 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	375W (Tc)	330W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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