IRFS4127TRLPBF vs IRFS4615TRLPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRFS4127TRLPBF und IRFS4615TRLPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFS4127TRLPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
6827 Stückzahl
Package
TO-263
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage
Part B

IRFS4615TRLPBF

Internationaler Gleichrichter

Lifecycle
Active
Stock
2429 Stückzahl
Package
TO-263-3
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification IRFS4127TRLPBF IRFS4615TRLPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V 150 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 72A (Tc) 33A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 22mOhm @ 44A, 10V 42mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 100µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 5380 pF @ 50 V 1750 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 375W (Tc) 144W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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