IRG4PH50SPBF vs IRG4P254S

Dieser detaillierte Vergleich von IRG4PH50SPBF und IRG4P254S bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part B

IRG4P254S

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
7109 Stückzahl
Package
TO-247-3
Series
Transistoren von IGBTs
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Specification IRG4PH50SPBF IRG4P254S
Supplier - Infineon Technologies
Part Status Obsolete Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 1200 V 250 V
Current - Collector(Ic)(Max) 57 A 98 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 114 A 196 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 1.7V @ 15V, 33A 1.5V @ 15V, 55A
Power - Max 200 W 200 W
Switching Energy 1.8mJ (on), 19.6mJ (off) 380µJ (on), 3.5mJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 167 nC 200 nC
Td(on / off) @ 25°C 32ns/845ns 40ns/270ns
Test Condition 960V, 33A, 5Ohm, 15V 200V, 55A, 5Ohm, 15V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
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