IRG4PH50UDPBF vs IRG4PC30S

Dieser detaillierte Vergleich von IRG4PH50UDPBF und IRG4PC30S bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part B

IRG4PC30S

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
8574 Stückzahl
Package
TO-247-3
Series
Transistoren von IGBTs
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Specification IRG4PH50UDPBF IRG4PC30S
Supplier - Infineon Technologies
Part Status Obsolete Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 1200 V 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 45 A 34 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 180 A 68 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 3.7V @ 15V, 24A 1.6V @ 15V, 18A
Power - Max 200 W 100 W
Switching Energy 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) 260µJ (on), 3.45mJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 160 nC 50 nC
Td(on / off) @ 25°C 47ns/110ns 22ns/540ns
Test Condition 800V, 24A, 5Ohm, 15V 480V, 18A, 23Ohm, 15V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Reverse Recovery Time (trr) 90 ns -
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