IRG4PH50UDPBF vs IRG4PH50S-EPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRG4PH50UDPBF und IRG4PH50S-EPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRG4PH50UDPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 6128 Stückzahl
Package: TO-247-3
Series: Transistoren von IGBTs

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Part B

IRG4PH50S-EPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 2983 Stückzahl
Package: TO-247-3
Series: Transistoren von IGBTs

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Full specification comparison

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Specification	IRG4PH50UDPBF	IRG4PH50S-EPBF
Supplier	-	Rochester Electronics, LLC,Infineon Technologies
Part Status	Obsolete	Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	1200 V	1200 V
Current - Collector(Ic)(Max)	45 A	57 A
Current - Collector Pulsed(Icm)	180 A	114 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic	3.7V @ 15V, 24A	1.7V @ 15V, 33A
Power - Max	200 W	200 W
Switching Energy	2.1mJ (on), 1.5mJ (off)	1.8mJ (on), 19.6mJ (off)
Input Type	Standard	Standard
Gate Charge	160 nC	167 nC
Td(on / off) @ 25°C	47ns/110ns	32ns/845ns
Test Condition	800V, 24A, 5Ohm, 15V	960V, 33A, 5Ohm, 15V
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole
Reverse Recovery Time (trr)	90 ns	-

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