IRGP4660D-EPBF vs IRGP4062D-EPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRGP4660D-EPBF und IRGP4062D-EPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRGP4660D-EPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 723 Stückzahl
Package: TO-247-3
Series: Transistoren von IGBTs

+Stückliste Anfrage

Part B

IRGP4062D-EPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 250 Stückzahl
Package: TO-247-3
Series: Transistoren von IGBTs

+Stückliste Anfrage

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Anfrage Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRGP4660D-EPBF	IRGP4062D-EPBF
Supplier	Rochester Electronics, LLC,Infineon Technologies	Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Part Status	Obsolete	Obsolete
IGBT Type	-	Trench
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	600 V	600 V
Current - Collector(Ic)(Max)	100 A	48 A
Current - Collector Pulsed(Icm)	144 A	72 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic	1.9V @ 15V, 48A	1.95V @ 15V, 24A
Power - Max	330 W	250 W
Switching Energy	625µJ (on), 1.28mJ (off)	115µJ (on), 600µJ (off)
Input Type	Standard	Standard
Gate Charge	140 nC	75 nC
Td(on / off) @ 25°C	60ns/145ns	41ns/104ns
Test Condition	400V, 48A, 10Ohm, 15V	400V, 24A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	115 ns	89 ns
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

Compare Anfrage