IRLML0100TRPBF vs IRLML9301TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRLML0100TRPBF und IRLML9301TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRLML0100TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 2453 Stückzahl
Package: SOT-23
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Part B

IRLML9301TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 5578 Stückzahl
Package: SOT-23
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification	IRLML0100TRPBF	IRLML9301TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	1.6A (Ta)	3.6A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	220mOhm @ 1.6A, 10V	64mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	2.5V @ 25µA	2.4V @ 10µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	2.5 nC @ 4.5 V	4.8 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	±16V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	290 pF @ 25 V	388 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	1.3W (Ta)	1.3W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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