IRLML9303TRPBF vs IRLML6346TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRLML9303TRPBF und IRLML6346TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRLML9303TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 2455 Stückzahl
Package: SOT-23-3
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Part B

IRLML6346TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 7049 Stückzahl
Package: SOT-23
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Full specification comparison

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Specification	IRLML9303TRPBF	IRLML6346TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	P-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	2.3A (Ta)	3.4A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs	165mOhm @ 2.3A, 10V	63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	2.4V @ 10µA	1.1V @ 10µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	2 nC @ 4.5 V	2.9 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	±20V	±12V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	160 pF @ 25 V	270 pF @ 24 V
Power Dissipation (Max)	1.25W (Ta)	1.3W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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