IRS2003STRPBF vs IRS2008STRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRS2003STRPBF und IRS2008STRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRS2003STRPBF

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3055 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRS2008STRPBF

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5315 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC-8 SOIC-8
Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
ProductStatus Not For New Designs Active
DrivenConfiguration Half-Bridge Half-Bridge
ChannelType Independent Synchronous
NumberofDrivers 2 2
GateType IGBT, N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V
Current-PeakOutput(SourceSink) 290mA, 600mA 290mA, 600mA
InputType Inverting, Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 200 V 200 V
Rise/FallTime(Typ) 70ns, 35ns 70ns, 30ns
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IRS2003STRPBF IRS2008STRPBF

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