IRS2011STRPBF vs IRS2001STRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRS2011STRPBF und IRS2001STRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRS2011STRPBF

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2833 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRS2001STRPBF

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6351 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC-8
Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Part Status - Not For New Designs
DigiKey Programmable - Not Verified
Driven Configuration - Half-Bridge
Channel Type - Independent
Number of Drivers - 2
Gate Type - IGBT, MOSFET (N-Channel)
Voltage - Supply - 10V ~ 20V
Logic Voltage - VIL, VIH - 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink) - 290mA, 600mA
Input Type - Non-Inverting
Rise / Fall Time (Typ) - 70ns, 35ns
Operating Temperature - -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type - Surface Mount
Base Product Number - IRS2001
High Side Voltage - Max (Bootstrap) - 200 V
ProductStatus Active -
DrivenConfiguration Half-Bridge -
ChannelType Independent -
NumberofDrivers 2 -
GateType N-Channel MOSFET -
Voltage-Supply 10V ~ 20V -
LogicVoltage-VILVIH 0.7V, 2.5V -
Current-PeakOutput(SourceSink) 1A, 1A -
InputType Inverting -
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 200 V -
Rise/FallTime(Typ) 25ns, 15ns -
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount -
Vergleichsmodell : IRS2011STRPBF IRS2001STRPBF

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