IRS2127STRPBF vs IRS2113STRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRS2113STRPBF und IRS2127STRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRS2113STRPBF

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9802 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRS2127STRPBF

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4633 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC-8
Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Part Status Active -
Base Product Number IRS2113 -
DigiKey Programmable Not Verified -
Driven Configuration Half-Bridge -
Channel Type Independent -
Number of Drivers 2 -
Gate Type IGBT, MOSFET (N-Channel) -
Voltage - Supply 10V ~ 20V -
Logic Voltage - VIL, VIH 6V, 9.5V -
Current - Peak Output (Source, Sink) 2.5A, 2.5A -
Input Type Non-Inverting -
Rise / Fall Time (Typ) 25ns, 17ns -
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600 V -
ProductStatus - Active
DrivenConfiguration - High-Side
ChannelType - Single
NumberofDrivers - 1
GateType - IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply - 12V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH - 0.8V, 2.5V
Current-PeakOutput(SourceSink) - 290mA, 600mA
InputType - Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) - 600 V
Rise/FallTime(Typ) - 80ns, 40ns
OperatingTemperature - -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType - Surface Mount
Vergleichsmodell : IRS2113STRPBF IRS2127STRPBF

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