IRS21531DSTRPBF vs IRS21681DSTRPBF Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von IRS21531DSTRPBF und IRS21681DSTRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRS21531DSTRPBF

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3173 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRS21681DSTRPBF

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7787 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC 8N SOIC-16
Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC LIGHT BALLAST CONTROL
Part Status Active Obsolete
Driven Configuration Half-Bridge -
Channel Type Synchronous -
Number of Drivers 2 -
Gate Type N-Channel MOSFET -
Voltage - Supply 10V ~ 15.4V -
Current - Peak Output(Source Sink) 180mA, 260mA -
Input Type RC Input Circuit -
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V -
Rise / Fall Time(Typ) 120ns, 50ns -
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Vergleichsmodell : IRS21531DSTRPBF IRS21681DSTRPBF

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