IRS21531DSTRPBF vs IRS21952SPBF Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von IRS21531DSTRPBF und IRS21952SPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRS21531DSTRPBF

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3173 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRS21952SPBF

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4487 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC 8N SOIC-N-16
Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HALF BRD/LOW 16SOIC
Part Status Active Obsolete
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge, Low-Side
Channel Type Synchronous Independent
Number of Drivers 2 3
Gate Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 15.4V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH - 0.6V, 3.5V
Current - Peak Output(Source Sink) 180mA, 260mA 500mA, 500mA
Input Type RC Input Circuit Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise / Fall Time(Typ) 120ns, 50ns 25ns, 25ns
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IRS21531DSTRPBF IRS21952SPBF

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