IRS2153DSTRPBF vs IRS2108STRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRS2153DSTRPBF und IRS2108STRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRS2153DSTRPBF

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7156 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRS2108STRPBF

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4775 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC-8 SOIC 8N
Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
ProductStatus Active Active
DrivenConfiguration Half-Bridge Half-Bridge
ChannelType Synchronous Independent
NumberofDrivers 2 2
GateType N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 10V ~ 15.4V 10V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH - 0.8V, 2.5V
Current-PeakOutput(SourceSink) 180mA, 260mA 290mA, 600mA
InputType RC Input Circuit Inverting, Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise/FallTime(Typ) 120ns, 50ns 100ns, 35ns
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IRS2153DSTRPBF IRS2108STRPBF

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