ISL2111BR4Z-T vs ISL2111ARTZ

Dieser detaillierte Vergleich von ISL2111BR4Z-T und ISL2111ARTZ bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
ISL2111BR4Z-T

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3883 Stückzahl | Renesas Electronics America Inc.
ISL2111ARTZ

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7925 Stückzahl | Renesas Electronics America Inc.
Paket DFN-8 WDFN-10
Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10TDFN
ProductStatus Active Active
DrivenConfiguration Half-Bridge Half-Bridge
ChannelType Independent Independent
NumberofDrivers 2 2
GateType N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 8V ~ 14V 8V ~ 14V
LogicVoltage-VILVIH 1.4V, 2.2V 1.4V, 2.2V
Current-PeakOutput(SourceSink) 3A, 4A 3A, 4A
InputType Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 114 V 114 V
Rise/FallTime(Typ) 9ns, 7.5ns 9ns, 7.5ns
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : ISL2111BR4Z-T ISL2111ARTZ

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