ISL6617AFRZ vs ISL6612CR

Dieser detaillierte Vergleich von ISL6617AFRZ und ISL6612CR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
ISL6617AFRZ

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1239 Stückzahl | Renesas Electronics America Inc.
ISL6612CR

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4667 Stückzahl | Renesas Electronics America Inc.
Paket 10-VFDFN Exposed Pad DFN-10(3x3)
Beschreibung IC PWM INPUT IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN
ProductStatus Last Time Buy Obsolete
DrivenConfiguration - Half-Bridge
ChannelType - Synchronous
NumberofDrivers - 2
GateType - N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 4.5V ~ 5.5V 10.8V ~ 13.2V
Current-PeakOutput(SourceSink) - 1.25A, 2A
InputType - Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) - 36 V
Rise/FallTime(Typ) - 26ns, 18ns
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C 0°C ~ 125°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Applications PWM Doubler -
Current-Supply 6mA -
Vergleichsmodell : ISL6617AFRZ ISL6612CR

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