ISL6625ACRZ-T vs ISL6613BCR Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von ISL6625ACRZ-T und ISL6613BCR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
ISL6625ACRZ-T

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9560 Stückzahl | Renesas Electronics Corporation
ISL6613BCR

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8826 Stückzahl | Renesas Electronics America Inc.
Paket DFN-10
Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN
Part Status Active Obsolete
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Synchronous Synchronous
Number of Drivers 2 2
Gate Type MOSFET (N-Channel) N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 5.5V ~ 13.2V 7V ~ 13.2V
Current - Peak Output(Source Sink) - 1.25A, 2A
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) - 36 V
Rise / Fall Time(Typ) - 26ns, 18ns
Operating Temperature 0°C ~ 125°C (TJ) 0°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number ISL6625 -
Digi Key Programmable Not Verified -
Current - Peak Output (Source, Sink) -, 3A -
Rise / Fall Time (Typ) 31ns, 18ns -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
High Side Voltage - Max (Bootstrap) 36 V -
Vergleichsmodell : ISL6625ACRZ-T ISL6613BCR

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