IXDN602SIATR vs IXDN614SI

Dieser detaillierte Vergleich von IXDN602SIATR und IXDN614SI bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine
Part A

IXDN602SIATR

Abteilung Integrierte Schaltungen IXYS

Lifecycle
Active
Stock
2361 Stückzahl
Package
SOIC-8
Series
PMIC-Treiber
+Stückliste Anfrage
Part B

IXDN614SI

Abteilung Integrierte Schaltungen IXYS

Lifecycle
Active
Stock
4557 Stückzahl
Package
SOIC-8
Series
PMIC-Treiber
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification IXDN602SIATR IXDN614SI
Part Status Active Active
Driven Configuration Low-Side Low-Side
Channel Type Independent Single
Number of Drivers 2 1
Gate Type IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Voltage - Supply 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 3V 0.8V, 3V
Current - Peak Output(Source Sink) 2A, 2A 14A, 14A
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
Rise / Fall Time(Typ) 7.5ns, 6.5ns 25ns, 18ns
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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