LF347DR vs LF347M

Dieser detaillierte Vergleich von LF347M und LF347DR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
LF347M

+Stückliste

7124 Stückzahl | Onsemi
LF347DR

+Stückliste

2304 Stückzahl | Texas Instruments
Paket
Beschreibung
ProductStatus Obsolete Active
AmplifierType J-FET J-FET
NumberofCircuits 4 4
SlewRate 13V/µs 13V/µs
GainBandwidthProduct 4 MHz 3 MHz
Current-InputBias 50 pA 50 pA
Voltage-InputOffset 5 mV 5 mV
Current-Supply 7.2mA (x4 Channels) 8mA (x4 Channels)
Voltage-SupplySpan(Min) 7 V 7 V
Voltage-SupplySpan(Max) 36 V 36 V
OperatingTemperature 0°C ~ 70°C 0°C ~ 70°C (TA)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Current-Output/Channel - 40 mA
Vergleichsmodell : LF347M LF347DR

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