LF412CDR vs LF412CDE4

Dieser detaillierte Vergleich von LF412CDR und LF412CDE4 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
LF412CDR

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6668 Stückzahl | Texas Instruments
LF412CDE4

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4952 Stückzahl | Texas Instruments
Paket 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Beschreibung IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC
Supplier - Texas Instruments
ProductStatus Active Discontinued at Digi-Key
AmplifierType J-FET J-FET
NumberofCircuits 2 2
SlewRate 13V/µs 13V/µs
GainBandwidthProduct 3 MHz 3 MHz
Current-InputBias 50 pA 50 pA
Voltage-InputOffset 500 µV 500 µV
Current-Supply 4.5mA (x2 Channels) 4.5mA (x2 Channels)
Voltage-SupplySpan(Min) 7 V 7 V
Voltage-SupplySpan(Max) 36 V 36 V
OperatingTemperature 0°C ~ 70°C 0°C ~ 70°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : LF412CDR LF412CDE4

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