LM211QD vs LM211DR

Dieser detaillierte Vergleich von LM211QD und LM211DR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
LM211QD

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6598 Stückzahl | Texas Instruments
LM211DR

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6402 Stückzahl | Texas Instruments
Paket SOIC (D)-8 SOIC (D)-8
Beschreibung IC STROBED DIFF COMPRTOR 8-SOIC IC DIFF COMPARATOR W/STRB 8-SOIC
ProductStatus Active Active
Type General Purpose General Purpose
NumberofElements 1 1
OutputType DTL, MOS, Open-Collector, Open-Emitter, RTL, TTL DTL, MOS, Open-Collector, Open-Emitter, RTL, TTL
Voltage-SupplySingle/Dual(±) 3.5V ~ 30V, ±1.75V ~ 15V 3.5V ~ 30V, ±1.75V ~ 15V
Voltage-InputOffset(Max) 3mV @ ±15V 3mV @ ±15V
Current-InputBias(Max) 0.1µA @ ±15V 0.1µA @ ±15V
Current-Output(Typ) 50mA 50mA
Current-Quiescent(Max) 6mA 6mA
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C -40°C ~ 85°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : LM211QD LM211DR

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