LM258ADR vs LM258DR2G

Dieser detaillierte Vergleich von LM258DR2G und LM258ADR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
LM258DR2G

+Stückliste

7313 Stückzahl | Onsemi
LM258ADR

+Stückliste

5259 Stückzahl | Texas Instruments
Paket
Beschreibung
ProductStatus Active Active
AmplifierType General Purpose General Purpose
NumberofCircuits 2 2
GainBandwidthProduct 1 MHz 700 kHz
Current-InputBias 45 nA 15 nA
Voltage-InputOffset 2 mV 2 mV
Current-Supply 800µA (x2 Channels) 500µA (x2 Channels)
Current-Output/Channel 40 mA 40 mA
Voltage-SupplySpan(Min) 3 V 3 V
Voltage-SupplySpan(Max) 32 V 32 V
OperatingTemperature -25°C ~ 85°C -25°C ~ 85°C (TA)
MountingType Surface Mount Surface Mount
SlewRate - 0.3V/µs
Vergleichsmodell : LM258DR2G LM258ADR

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