LM258AYDT vs LM258DR2

Dieser detaillierte Vergleich von LM258AYDT und LM258DR2 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
LM258AYDT

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5642 Stückzahl | STMikroelektronik
LM258DR2

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7525 Stückzahl | Onsemi
Paket SOIC-8 SOIC-8
Beschreibung IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC IC OPAMP DUAL LOW POWER 8SOIC
Supplier STMicroelectronics onsemi,Rochester Electronics, LLC
Series Automotive, AEC-Q100 -
ProductStatus Active Obsolete
AmplifierType General Purpose General Purpose
NumberofCircuits 2 2
SlewRate 0.6V/µs -
GainBandwidthProduct 1.1 MHz 1 MHz
Current-InputBias 20 nA 45 nA
Voltage-InputOffset 1 mV 2 mV
Current-Supply 700µA (x2 Channels) 800µA (x2 Channels)
Current-Output/Channel 40 mA 40 mA
Voltage-SupplySpan(Min) 3 V 3 V
Voltage-SupplySpan(Max) 30 V 32 V
OperatingTemperature -40°C ~ 105°C -25°C ~ 85°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : LM258AYDT LM258DR2

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