LM258DR vs LM258DG

Dieser detaillierte Vergleich von LM258DR und LM258DG bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
LM258DR

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5147 Stückzahl | Texas Instruments
LM258DG

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8656 Stückzahl | Onsemi
Paket 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Beschreibung IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
Supplier - Rochester Electronics, LLC,onsemi
ProductStatus Active Obsolete
AmplifierType General Purpose General Purpose
NumberofCircuits 2 2
GainBandwidthProduct 700 kHz 1 MHz
Current-InputBias 20 nA 45 nA
Voltage-InputOffset 3 mV 2 mV
Current-Supply 500µA (x2 Channels) 800µA (x2 Channels)
Current-Output/Channel 40 mA 40 mA
Voltage-SupplySpan(Min) 3 V 3 V
Voltage-SupplySpan(Max) 32 V 32 V
OperatingTemperature -25°C ~ 85°C (TA) -25°C ~ 85°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
SlewRate 0.3V/µs -
Vergleichsmodell : LM258DR LM258DG

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