LM2902DR vs LM2903DG4

Dieser detaillierte Vergleich von LM2902DR und LM2903DG4 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
LM2902DR

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3659 Stückzahl | Rohm Halbleiter
LM2903DG4

+Stückliste

3580 Stückzahl | Texas Instruments
Paket SOIC-8
Beschreibung IC DUAL GP DIFF COMPARATR 8-SOIC
Supplier - Texas Instruments
ProductStatus Obsolete Discontinued at Digi-Key
Type - Differential
NumberofElements - 2
OutputType - CMOS, MOS, Open-Drain, TTL
Voltage-SupplySingle/Dual(±) - 2V ~ 36V, ±1V ~ 18V
Voltage-InputOffset(Max) - 7mV @ 30V
Current-InputBias(Max) - 0.25µA @ 5V
Current-Output(Typ) - 20mA
Current-Quiescent(Max) - 2.5mA
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C -40°C ~ 125°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
AmplifierType General Purpose -
NumberofCircuits 4 -
SlewRate 0.3V/µs -
GainBandwidthProduct 1.2 MHz -
Current-InputBias 20 nA -
Voltage-InputOffset 1 mV -
Current-Supply 1mA -
Current-Output/Channel 30 mA -
Voltage-SupplySpan(Min) 3 V -
Voltage-SupplySpan(Max) 32 V -
Vergleichsmodell : LM2902DR LM2903DG4

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