LM2902DT vs LM2903DR2G

Dieser detaillierte Vergleich von LM2903DR2G und LM2902DT bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
LM2903DR2G

+Stückliste

2747 Stückzahl | Onsemi
LM2902DT

+Stückliste

5980 Stückzahl | Rohm Halbleiter
Paket SOIC-8
Beschreibung IC COMP DUAL OFFSET LV 8SOIC
ProductStatus Active Active
Type General Purpose -
NumberofElements 2 -
OutputType CMOS, DTL, ECL, MOS, Open-Collector, TTL -
Voltage-SupplySingle/Dual(±) 2V ~ 36V, ±1V ~ 18V -
Voltage-InputOffset(Max) 7mV @ 30V -
Current-InputBias(Max) 0.25µA @ 5V -
Current-Output(Typ) 16mA @ 5V -
Current-Quiescent(Max) 2.5mA -
OperatingTemperature -40°C ~ 105°C -40°C ~ 125°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
AmplifierType - General Purpose
NumberofCircuits - 4
SlewRate - 0.3V/µs
GainBandwidthProduct - 800 kHz
Current-InputBias - 20 nA
Voltage-InputOffset - 1 mV
Current-Supply - 1mA
Current-Output/Channel - 30 mA
Voltage-SupplySpan(Min) - 3 V
Voltage-SupplySpan(Max) - 32 V
Vergleichsmodell : LM2903DR2G LM2902DT

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