LM311D vs LM311DR2

Dieser detaillierte Vergleich von LM311D und LM311DR2 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
LM311D

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4743 Stückzahl | Texas Instruments
LM311DR2

+Stückliste

6545 Stückzahl | Onsemi
Paket SOIC (D)-8
Beschreibung IC DIFF COMP W/STROBE 8-SOIC IC COMPARATOR SGL HI VOLT 8SOIC
Supplier - onsemi,Rochester Electronics, LLC
ProductStatus Active Obsolete
Type General Purpose -
NumberofElements 1 -
OutputType MOS, Open-Collector, Open-Emitter, TTL -
Voltage-SupplySingle/Dual(±) 3.5V ~ 30V, ±1.75V ~ 15V -
Voltage-InputOffset(Max) 7.5mV @ ±15V -
Current-InputBias(Max) 0.25µA @ ±15V -
Current-Quiescent(Max) 7.5mA -
OperatingTemperature 0°C ~ 70°C -
MountingType Surface Mount -
Vergleichsmodell : LM311D LM311DR2

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