LM358ADR2G vs LM358F-E2

Dieser detaillierte Vergleich von LM358ADR2G und LM358F-E2 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
LM358ADR2G

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5401 Stückzahl | Onsemi
LM358F-E2

+Stückliste

2386 Stückzahl | Rohm Halbleiter
Paket SOIC-8
Beschreibung IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOP
Supplier - Rohm Semiconductor
ProductStatus Active Active
AmplifierType General Purpose General Purpose
NumberofCircuits 2 2
SlewRate - 0.3V/µs
GainBandwidthProduct 1 MHz 800 kHz
Current-InputBias 45 nA 20 nA
Voltage-InputOffset 2 mV 1 mV
Current-Supply 800µA (x2 Channels) 600µA
Current-Output/Channel 40 mA 30 mA
Voltage-SupplySpan(Min) 3 V 3 V
Voltage-SupplySpan(Max) 32 V 32 V
OperatingTemperature 0°C ~ 70°C -40°C ~ 85°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : LM358ADR2G LM358F-E2

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