LM358DR2G vs LM358LVIDR Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von LM358LVIDR und LM358DR2G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
LM358LVIDR

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6545 Stückzahl | Texas Instruments
LM358DR2G

+Stückliste

7716 Stückzahl | Onsemi
Paket
Beschreibung
Part Status Active Active
Amplifier Type General Purpose General Purpose
Number of Circuits 2 2
Slew Rate 1.5V/µs -
Gain Bandwidth Product 1 MHz 1 MHz
Current - Input Bias 15 pA 45 nA
Voltage - Input Offset 1 mV 2 mV
Supply Current 90µA (x2 Channels) 800µA (x2 Channels)
Current - Output / Channel 40 mA 40 mA
Voltage - Supply Span(Min) 2.7 V 3 V
Voltage - Supply Span(Max) 5.5 V 32 V
Operating Temperature -40°C ~ 125°C 0°C ~ 70°C
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : LM358LVIDR LM358DR2G

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