LM358DR2G vs LM358WDT

Dieser detaillierte Vergleich von LM358DR2G und LM358WDT bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
LM358DR2G

+Stückliste

7716 Stückzahl | Onsemi
LM358WDT

+Stückliste

6409 Stückzahl | STMikroelektronik
Paket SOIC-8
Beschreibung IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
Supplier - STMicroelectronics
Series - Automotive, AEC-Q100
ProductStatus Active Active
AmplifierType General Purpose General Purpose
NumberofCircuits 2 2
SlewRate - 0.6V/µs
GainBandwidthProduct 1 MHz 1.1 MHz
Current-InputBias 45 nA 20 nA
Voltage-InputOffset 2 mV 2 mV
Current-Supply 800µA (x2 Channels) 700µA
Current-Output/Channel 40 mA 40 mA
Voltage-SupplySpan(Min) 3 V 3 V
Voltage-SupplySpan(Max) 32 V 30 V
OperatingTemperature 0°C ~ 70°C 0°C ~ 70°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : LM358DR2G LM358WDT

+Stückliste Anfrage