LM358DR vs LM358PSR

Dieser detaillierte Vergleich von LM358PSR und LM358DR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
LM358PSR

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6097 Stückzahl | Texas Instruments
LM358DR

+Stückliste

2176 Stückzahl | Rohm Halbleiter
Paket
Beschreibung
ProductStatus Active Active
AmplifierType General Purpose General Purpose
NumberofCircuits 2 2
SlewRate 0.3V/µs 0.3V/µs
GainBandwidthProduct 700 kHz 700 kHz
Current-InputBias 20 nA 20 nA
Voltage-InputOffset 3 mV 1 mV
Current-Supply 500µA (x2 Channels) 600µA
Current-Output/Channel 40 mA 40 mA
Voltage-SupplySpan(Min) 3 V 3 V
Voltage-SupplySpan(Max) 30 V 32 V
OperatingTemperature 0°C ~ 70°C (TA) -40°C ~ 85°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : LM358PSR LM358DR

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