LM358M vs LM358BAIDR

Dieser detaillierte Vergleich von LM358M und LM358BAIDR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
LM358M

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6589 Stückzahl | Texas Instruments
LM358BAIDR

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2857 Stückzahl | Texas Instruments
Paket
Beschreibung IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
ProductStatus - Active
AmplifierType - General Purpose
NumberofCircuits - 2
SlewRate - 0.5V/µs
GainBandwidthProduct - 1.2 MHz
Current-InputBias - 10 nA
Voltage-InputOffset - 2 mV
Current-Supply - 300µA (x2 Channels)
Current-Output/Channel - 40 mA
Voltage-SupplySpan(Min) - 3 V
Voltage-SupplySpan(Max) - 36 V
OperatingTemperature - -40°C ~ 125°C (TA)
MountingType - Surface Mount
Part Status Obsolete -
Base Product Number LM358 -
Packaging Tube -
Vergleichsmodell : LM358M LM358BAIDR

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