LM358P vs LM358AN Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von LM358P und LM358AN bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
LM358P

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5701 Stückzahl | Texas Instruments
LM358AN

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6372 Stückzahl | Texas Instruments
Paket DIP-8
Beschreibung IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8DIP
Supplier - Rochester Electronics, LLC,Texas Instruments
Part Status Active Obsolete
Amplifier Type General Purpose General Purpose
Number of Circuits 2 2
Gain Bandwidth Product 700 kHz 1.1 MHz
Current - Input Bias 20 nA 45 nA
Voltage - Input Offset 3 mV 2 mV
Supply Current 500µA (x2 Channels) 1mA
Current - Output / Channel 40 mA 40 mA
Voltage - Supply Span(Min) 3 V 3 V
Voltage - Supply Span(Max) 30 V 32 V
Operating Temperature 0°C ~ 70°C (TA) 0°C ~ 70°C
Mounting Type Through Hole Through Hole
Slew Rate 0.3V/µs -
Vergleichsmodell : LM358P LM358AN

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