LMV358IDR vs LMV358DR2G Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von LMV358DR2G und LMV358IDR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
LMV358DR2G

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2103 Stückzahl | Onsemi
LMV358IDR

+Stückliste

5884 Stückzahl | Texas Instruments
Paket
Beschreibung
Part Status Active Active
Amplifier Type Voltage Feedback General Purpose
Number of Circuits 2 2
Output Type Rail-to-Rail Rail-to-Rail
Slew Rate 1V/µs 1V/µs
Gain Bandwidth Product 1 MHz 1 MHz
Current - Input Bias 1 nA 15 nA
Voltage - Input Offset 1.7 mV 1.7 mV
Supply Current 100µA (x2 Channels) 210µA (x2 Channels)
Current - Output / Channel 160 mA 40 mA
Voltage - Supply Span(Min) 2.7 V 2.7 V
Voltage - Supply Span(Max) 5.5 V 5.5 V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : LMV358DR2G LMV358IDR

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