LT1013DDR vs LT1013DID

Dieser detaillierte Vergleich von LT1013DID und LT1013DDR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
LT1013DID

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5067 Stückzahl | Texas Instruments
LT1013DDR

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4759 Stückzahl | Texas Instruments
Paket
Beschreibung
ProductStatus Active Active
AmplifierType General Purpose General Purpose
NumberofCircuits 2 2
SlewRate 0.4V/µs 0.4V/µs
GainBandwidthProduct 1 MHz 1 MHz
Current-InputBias 18 nA 18 nA
Voltage-InputOffset 90 µV 90 µV
Current-Supply 320µA (x2 Channels) 320µA (x2 Channels)
Voltage-SupplySpan(Min) 5 V 5 V
Voltage-SupplySpan(Max) 30 V 30 V
OperatingTemperature -40°C ~ 105°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : LT1013DID LT1013DDR

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