LTC4414IMS8#PBF vs LTC4446EMS8E#PBF Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von LTC4446EMS8E#PBF und LTC4414IMS8#PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.

Spezifikationen

LTC4446EMS8E#PBF

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8802 Stückzahl | Analog Devices Inc.

LTC4414IMS8#PBF

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5876 Stückzahl | Analog Devices Inc.

Paket MSOP-8 MSOP-8

Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP IC OR CTRLR SRC SELECT 8MSOP

Part Status Active Active

Driven Configuration Half-Bridge -

Channel Type Independent -

Number of Drivers 2 -

Gate Type N-Channel MOSFET -

Voltage - Supply 7.2V ~ 13.5V 3V ~ 36V

Logic Voltage - VILVIH 1.85V, 3.25V -

Current - Peak Output(Source Sink) 2.5A, 3A -

Input Type Non-Inverting -

High Side Voltage - Max(Bootstrap) 114 V -

Rise / Fall Time(Typ) 8ns, 5ns -

Operating Temperature -40°C ~ 85°C -40°C ~ 125°C

Mounting Type Surface Mount Surface Mount

Series - PowerPath™

Type - Source Selector Switch

FET Type - P-Channel

Ratio - Input: Output - 2:1

Internal Switch(s) - No

Delay Time - ON - 600 µs

Delay Time - OFF - 20 µs

Supply Current - 31 µA

Applications - Battery Backup, Industrial/Automotive, High Current Switch

Vergleichsmodell : LTC4446EMS8E#PBF LTC4414IMS8#PBF

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