LTC4446EMS8E#PBF vs LTC4419IMSE#PBF Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von LTC4446EMS8E#PBF und LTC4419IMSE#PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.

Spezifikationen

LTC4446EMS8E#PBF

+Stückliste

8802 Stückzahl | Analog Devices Inc.

LTC4419IMSE#PBF

+Stückliste

2049 Stückzahl | Analog Devices Inc.

Paket MSOP-8 MSOP-12

Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP IC SOURCE SELECTOR SWITCH 12MSOP

Series - PowerPath™

Part Status Active Active

Type - Source Selector Switch

FET Type - N-Channel

Ratio - Input: Output - 2:1

Internal Switch(s) - Yes

Current - Output (Max) - 1.6A

Supply Current - 3.6 µA

Voltage - Supply 7.2V ~ 13.5V 1.8V ~ 18V

Applications - Battery Backup

Operating Temperature -40°C ~ 85°C -40°C ~ 85°C

Mounting Type Surface Mount Surface Mount

Driven Configuration Half-Bridge -

Channel Type Independent -

Number of Drivers 2 -

Gate Type N-Channel MOSFET -

Logic Voltage - VILVIH 1.85V, 3.25V -

Current - Peak Output(Source Sink) 2.5A, 3A -

Input Type Non-Inverting -

High Side Voltage - Max(Bootstrap) 114 V -

Rise / Fall Time(Typ) 8ns, 5ns -

Vergleichsmodell : LTC4446EMS8E#PBF LTC4419IMSE#PBF

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