LTC4446EMS8E#PBF vs LTC4440EMS8E#PBF Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von LTC4446EMS8E#PBF und LTC4440EMS8E#PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.

Spezifikationen

LTC4446EMS8E#PBF

+Stückliste

8802 Stückzahl | Analog Devices Inc.

LTC4440EMS8E#PBF

+Stückliste

8599 Stückzahl | Analog Devices Inc.

Paket MSOP-8 MSOP-8

Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8MSOP

Part Status Active Active

Driven Configuration Half-Bridge High-Side

Channel Type Independent Single

Number of Drivers 2 1

Gate Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET

Voltage - Supply 7.2V ~ 13.5V 8V ~ 15V

Logic Voltage - VILVIH 1.85V, 3.25V 1.3V, 1.6V

Current - Peak Output(Source Sink) 2.5A, 3A 2.4A, 2.4A

Input Type Non-Inverting Non-Inverting

High Side Voltage - Max(Bootstrap) 114 V 80 V

Rise / Fall Time(Typ) 8ns, 5ns 10ns, 7ns

Operating Temperature -40°C ~ 85°C -40°C ~ 85°C (TA)

Mounting Type Surface Mount Surface Mount

Vergleichsmodell : LTC4446EMS8E#PBF LTC4440EMS8E#PBF

+Stückliste Anfrage

LTC4446EMS8E#PBF vs LTC4440EMS8E#PBF Vergleich

Verwandte

Verwandter Vergleich