LTC4446EMS8E#PBF vs LTC4441EMSE#PBF Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von LTC4446EMS8E#PBF und LTC4441EMSE#PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.

Spezifikationen

LTC4446EMS8E#PBF

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8802 Stückzahl | Analog Devices Inc.

LTC4441EMSE#PBF

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4865 Stückzahl | Lineartechnik

Paket MSOP-8 MSOP-10

Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP LTC4441 - 6A N-CHANNEL MOSFET DR

Part Status Active Obsolete

Driven Configuration Half-Bridge Low-Side

Channel Type Independent Single

Number of Drivers 2 1

Gate Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET

Voltage - Supply 7.2V ~ 13.5V 5V ~ 25V

Logic Voltage - VILVIH 1.85V, 3.25V 1.8V, 2V

Current - Peak Output(Source Sink) 2.5A, 3A 6A, 6A

Input Type Non-Inverting Non-Inverting

High Side Voltage - Max(Bootstrap) 114 V -

Rise / Fall Time(Typ) 8ns, 5ns 13ns, 8ns

Operating Temperature -40°C ~ 85°C -40°C ~ 125°C (TJ)

Mounting Type Surface Mount Surface Mount

Vergleichsmodell : LTC4446EMS8E#PBF LTC4441EMSE#PBF

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