LTC4446EMS8E#PBF vs LTC4442IMS8E#TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von LTC4446EMS8E#PBF und LTC4442IMS8E#TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification LTC4446EMS8E#PBF LTC4442IMS8E#TRPBF
Part Status Active Active
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Synchronous
Number of Drivers 2 2
Gate Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 7.2V ~ 13.5V 6V ~ 9.5V
Current - Peak Output(Source Sink) 2.5A, 3A 2.4A, 2.4A
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 114 V 42 V
Rise / Fall Time(Typ) 8ns, 5ns 12ns, 8ns
Operating Temperature -40°C ~ 85°C -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Logic Voltage - VILVIH 1.85V, 3.25V -
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