LTC4446EMS8E#PBF vs LTC4444MPMS8E

Dieser detaillierte Vergleich von LTC4446EMS8E#PBF und LTC4444MPMS8E bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
LTC4446EMS8E#PBF

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8802 Stückzahl | Analog Devices Inc.
LTC4444MPMS8E

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9780 Stückzahl | Analog Devices Inc.
Paket MSOP-8 MSOP-8
Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP
ProductStatus Active Obsolete
DrivenConfiguration Half-Bridge High-Side or Low-Side
ChannelType Independent Synchronous
NumberofDrivers 2 2
GateType N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 7.2V ~ 13.5V 7.2V ~ 13.5V
LogicVoltage-VILVIH 1.85V, 3.25V 2.75V, 2.25V
Current-PeakOutput(SourceSink) 2.5A, 3A 2.5A, 3A
InputType Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 114 V 114 V
Rise/FallTime(Typ) 8ns, 5ns 80ns, 50ns
OperatingTemperature -40°C ~ 85°C -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : LTC4446EMS8E#PBF LTC4444MPMS8E

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