LTC4446EMS8E#PBF vs LTC4446IMS8E#PBF Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von LTC4446EMS8E#PBF und LTC4446IMS8E#PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.

Spezifikationen

LTC4446EMS8E#PBF

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8802 Stückzahl | Analog Devices Inc.

LTC4446IMS8E#PBF

+Stückliste

3979 Stückzahl | Analog Devices Inc.

Paket MSOP-8 MSOP-8

Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP

Part Status Active Active

Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge

Channel Type Independent Independent

Number of Drivers 2 2

Gate Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET

Voltage - Supply 7.2V ~ 13.5V 7.2V ~ 13.5V

Logic Voltage - VILVIH 1.85V, 3.25V 1.85V, 3.25V

Current - Peak Output(Source Sink) 2.5A, 3A 2.5A, 3A

Input Type Non-Inverting Non-Inverting

High Side Voltage - Max(Bootstrap) 114 V 114 V

Rise / Fall Time(Typ) 8ns, 5ns 8ns, 5ns

Operating Temperature -40°C ~ 85°C -40°C ~ 85°C

Mounting Type Surface Mount Surface Mount

Vergleichsmodell : LTC4446EMS8E#PBF LTC4446IMS8E#PBF

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LTC4446EMS8E#PBF vs LTC4446IMS8E#PBF Vergleich

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