LTC4449IDCB vs LTC4413EDD-1#PBF

Dieser detaillierte Vergleich von LTC4449IDCB und LTC4413EDD-1#PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
LTC4449IDCB

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1200 Stückzahl | Analog Devices Inc.
LTC4413EDD-1#PBF

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4868 Stückzahl | Analog Devices Inc.
Paket 8-WFDFN Exposed Pad 10-WFDFNExposedPad
Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN IC OR CTRLR SRC SELECT 10DFN
ProductStatus Obsolete Active
Type - Source Selector Switch
FETType - P-Channel
Ratio-Input:Output - 2:1
InternalSwitch(s) - Yes
DelayTime-ON - 11 µs
DelayTime-OFF - 2 µs
Current-Output(Max) - 2.6A
Current-Supply - 40 µA
Voltage-Supply 4V ~ 6.5V 2.5V ~ 5.5V
Applications - Handheld/Mobile Devices
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 85°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
DrivenConfiguration Half-Bridge -
ChannelType Synchronous -
NumberofDrivers 2 -
GateType N-Channel MOSFET -
LogicVoltage-VILVIH 3V, 6.5V -
Current-PeakOutput(SourceSink) 3.2A, 4.5A -
InputType Non-Inverting -
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 42 V -
Rise/FallTime(Typ) 8ns, 7ns -
Vergleichsmodell : LTC4449IDCB LTC4413EDD-1#PBF

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