LTC4449IDCB vs LTC4413EDD-1#PBF
Dieser detaillierte Vergleich von LTC4449IDCB und LTC4413EDD-1#PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
8-WFDFN Exposed Pad
10-WFDFNExposedPad
Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN
IC OR CTRLR SRC SELECT 10DFN
ProductStatus
Obsolete
Active
Type
-
Source Selector Switch
FETType
-
P-Channel
Ratio-Input:Output
-
2:1
InternalSwitch(s)
-
Yes
DelayTime-ON
-
11 µs
DelayTime-OFF
-
2 µs
Current-Output(Max)
-
2.6A
Current-Supply
-
40 µA
Voltage-Supply
4V ~ 6.5V
2.5V ~ 5.5V
Applications
-
Handheld/Mobile Devices
OperatingTemperature
-40°C ~ 125°C (TJ)
-40°C ~ 85°C
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
DrivenConfiguration
Half-Bridge
-
ChannelType
Synchronous
-
NumberofDrivers
2
-
GateType
N-Channel MOSFET
-
LogicVoltage-VILVIH
3V, 6.5V
-
Current-PeakOutput(SourceSink)
3.2A, 4.5A
-
InputType
Non-Inverting
-
HighSideVoltage-Max(Bootstrap)
42 V
-
Rise/FallTime(Typ)
8ns, 7ns
-