MBR30100CT vs MBR30100CTF-G1

Dieser detaillierte Vergleich von MBR30100CT und MBR30100CTF-G1 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine
Part A

MBR30100CT

Taiwan Semiconductor Corporation

Lifecycle
Active
Stock
7248 Stückzahl
Series
Dioden-Gleichrichter-Diodenarrays
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Specification MBR30100CT MBR30100CTF-G1
Part Status Active Active
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Technology Schottky -
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100 V 100 V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 30A -
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 940 mV @ 30 A 850 mV @ 15 A
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr 200 µA @ 100 V 100 µA @ 100 V
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Mounting Type Through Hole Through Hole
Base Product Number MBR30100 -
Diode Type - Schottky
Current - Average Rectified(Io)(per Diode) - 15A
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