MBR30100CTF-G1 vs MBR30100CT Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von MBR30100CT und MBR30100CTF-G1 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
MBR30100CT

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7248 Stückzahl | Taiwan Semiconductor Corporation
MBR30100CTF-G1

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6258 Stückzahl | Dioden Incorporated
Paket TO-220F-3
Beschreibung DIODE ARR SCHOT 100V 30A TO220AB DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220F
Part Status Active Active
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Technology Schottky -
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100 V 100 V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 30A -
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 940 mV @ 30 A 850 mV @ 15 A
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr 200 µA @ 100 V 100 µA @ 100 V
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Mounting Type Through Hole Through Hole
Base Product Number MBR30100 -
Diode Type - Schottky
Current - Average Rectified(Io)(per Diode) - 15A
Vergleichsmodell : MBR30100CT MBR30100CTF-G1

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