MC100EPT21D vs MC100EL11DR2G

Dieser detaillierte Vergleich von MC100EPT21D und MC100EL11DR2G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
MC100EPT21D

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3349 Stückzahl | Onsemi
MC100EL11DR2G

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3287 Stückzahl | Onsemi
Paket SOIC-8 SOIC-8
Beschreibung IC XLATOR LVPECL-LVTTL DFF 8SOIC IC CLK BUFFER 1:2 1.5GHZ 8SOIC
Supplier Rochester Electronics, LLC onsemi,Rochester Electronics, LLC
Series 100EPT 100EL
ProductStatus Active Active
TranslatorType Mixed Signal -
ChannelType Unidirectional -
NumberofCircuits 1 1
ChannelsperCircuit 1 -
InputSignal CML, LVDS, LVPECL -
OutputSignal LVTTL, LVCMOS -
OutputType Non-Inverted -
OperatingTemperature -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
Type - Fanout Buffer (Distribution)
Ratio-Input:Output - 1:2
Differential-Input:Output - Yes/Yes
Input - ECL, PECL
Output - ECL, PECL
Frequency-Max - 1.5 GHz
Voltage-Supply - 4.2V ~ 5.7V
Vergleichsmodell : MC100EPT21D MC100EL11DR2G

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