MC100EPT21DR2G vs MC100EL35DR2

Dieser detaillierte Vergleich von MC100EPT21DR2G und MC100EL35DR2 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

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Specification MC100EPT21DR2G MC100EL35DR2
Supplier - onsemi
Series 100EPT 100EL
Part Status Active Obsolete
Function - Reset
Type - D-Type
Output Type Non-Inverted Complementary
Number of Elements - 1
Number of Bits per Element - 1
Clock Frequency - 2.2 GHz
Trigger Type - Positive Edge
Voltage - Supply - -4.2V ~ -5.7V
Current - Quiescent (Iq) - 32 mA
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Translator Type Mixed Signal -
Channel Type Unidirectional -
Number of Circuits 1 -
Channelsper Circuit 1 -
Input Signal CML, LVDS, LVPECL -
Output Signal LVTTL, LVCMOS -
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