MC33152DR2G vs MC33143DW Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von MC33152DR2G und MC33143DW bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
MC33152DR2G

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6426 Stückzahl | Onsemi
MC33143DW

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2300 Stückzahl | NXP USA Inc.
Paket SOIC-8 SOIC-24
Beschreibung IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 24SOIC
Part Status Active Obsolete
Switch Type - General Purpose
Number of Outputs - 2
Ratio - Input: Output - 1:1
Output Configuration - High Side
Output Type - N-Channel
Interface - On/Off
Voltage - Load - 9V ~ 17V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd) - 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ) - 140mOhm
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
Fault Protection - Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Driven Configuration Low-Side -
Channel Type Independent -
Number of Drivers 2 -
Gate Type N-Channel MOSFET -
Voltage - Supply 6.1V ~ 18V -
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.6V -
Current - Peak Output(Source Sink) 1.5A, 1.5A -
Rise / Fall Time(Typ) 36ns, 32ns -
Vergleichsmodell : MC33152DR2G MC33143DW

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